日本GE Toshiba Silicone上市了与原产品相比可将漏油量减小约75％的散热用硅滑润油“TIG210BX”。设想用于微处理器或功率半导体等与散热板等散热部件的接合面，以提高散热性。主要面向个人电脑、服务器、车载设备和电源模块等。高温环境下使用时半导体和散热板的热传导性恶化——此前一直面临的导致漏油的问题，有望通过硅滑润油的使用而得以解决。热传导被率为2.1W/m·K、热阻抗在使用厚45μm的硅滑润油膜时为18mm2·K/W，确保了与原来的硅滑润油同等的性能。粘性指标--张性为340，粘性低、易处理。预定在2006年4月19日～21日于幕张MESSE国际会展中心举行的“第8届散热技术展”上展出。 散热用硅滑润油在硅油中添加使用金属氧化物的导电性微粒子。通过在散热板和半导体间使用硅润滑油，散热板和半导体的接合面上厚几十μm的硅润滑油膜没有任何间隙，半导体所产业的热量可以高效地传导给散热板。不过，原来的硅润滑油在高温设备上使用时，存在着硅油和填料向外泄漏的问题。这样一来，散热板和半导体的接合面就会产生空孔，导致半导体向散热板传导热量性能的恶化。而且还存在着泄漏出来的硅润滑油导致印刷电路板上的布线短路的问题。因此，高温环境下使用的设备中，大多使用散热片来连接半导体和散热板。不过，如果散热板和半导体的接触面如果存在凹凸的话，散热片上就容易产业空孔，出现热量难以散出的问题。 此次的硅润滑油分别在硅油和填料上做了改进。硅油改用不提高粘性也可减小渗漏的高分子结构。填料方面，调整了金属氧化物的表面处理，可在不凝结的前提下分散到硅油中。藉此确保了硅润滑油膜的散热均匀性。 GE Toshiba Silicone已经开发完成了可以比此次产品进一步减小渗漏的散热用硅润滑油“X
S50-C2351”，如果有客户需求的话，将随即上市（图1）。与原来相比，可减小漏油近90％。热传导率为1.5W/m·K，热阻抗在膜厚50μm时为24mm2·K/W。张性为290，与340的TIG210BX相比，粘性要高出一些。